Teamgroup ha anunciado hoy un gran avance en las especificaciones de su último módulo de memoria DDR5 ECC R-DIMM, que cuenta con una velocidad de reloj aumentada de 5.600MHz, cumpliendo el estándar JEDEC para especificaciones de alto rendimiento. Además, la compañía ha colaborado con el conocido fabricante de placas base ASRock para completar las pruebas de compatibilidad en plataformas HEDT equipadas con procesadores Intel Xeon de 4ª generación, con el nombre en clave Sapphire Rapids, y placas base W790. El módulo de memoria no sólo es totalmente compatible con XMP3.0, sino que también es la memoria DDR5 ECC R-DIMM overclocking del mercado actual, con una frecuencia de reloj máxima de 6.800 MHz.
Sapphire Rapids es el primer procesador Intel para servidores compatible con memoria DDR5 ECC R-DIMM. Cuando se combina con la placa base para estaciones de trabajo W790 de última generación, los usuarios pueden ajustar la configuración de overclocking de la CPU en la BIOS y activar la función de ajuste de la velocidad de reloj de la memoria DDR5 ECC R-DIMM. Sometida a estrictas pruebas de compatibilidad y estabilidad, la memoria de alta frecuencia compatible con JEDEC se presenta en variantes de 16 GB y 32 GB de capacidad para satisfacer la demanda de actualizaciones de estaciones de trabajo. La memoria también está disponible en modelos de 6.400 MHz y 6.800 MHz compatibles con XMP3.0, lo que proporciona a las plataformas HEDT de nueva generación un rendimiento de vanguardia.
Para satisfacer las diversas necesidades de las aplicaciones de estaciones de trabajo HEDT, la memoria DDR5 ECC R-DIMM está diseñada con dedos de oro de 30µ, cuenta con ECC dual y está equipada con un sensor de temperatura de alta precisión para aumentar la resistencia y reducir los problemas térmicos durante el overclocking. Teamgroup se compromete a crear productos de la máxima calidad y a ofrecer soluciones de almacenamiento y memoria innovadoras y diversas. A medida que las tecnologías de plataforma sigan evolucionando, la empresa trabajará codo con codo con consumidores de todo el mundo para crear una nueva generación de memoria DDR5 de alta velocidad y ofrecer avances revolucionarios.
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