Global Foundries anunció hoy sus planes de introducir un nuevo proceso de manufactura de semiconductores FinFET de 12nm de Desempeño (12LP por sus siglas en inglés). Se espera que la tecnología ofrezca una mejor densidad y un aumento de rendimiento sobre la oferta de FinFET de 14nm de generación actual de GF, satisfaciendo las necesidades de procesamiento de las aplicaciones de computación más exigentes, desde inteligencia artificial y realidad virtual hasta smartphones de gama alta e infraestructura de redes.
La nueva tecnología 12LP proporciona hasta un 15% de mejora en la densidad del circuito y más de un 10% de mejora en el rendimiento de más de 16/14nm soluciones FinFET en el mercado hoy en día. Esto posiciona 12LP para ser totalmente competitivo con otras ofertas de fundición de 12nm FinFET. La tecnología está basada en la plataforma FinFET de 14nm que ha estado presente en la producción de gran volumen desde principios de 2016 en el campus de GF Fab 8 en el condado de Saratoga, Nueva York. Se espera que 12LP comience su producción a principios de 2018.
«El mundo está en medio de una transición sin precedentes hacia una era de inteligencia conectada», dijo Sanjay Jha, CEO de GF. «Esta nueva tecnología 12LP proporciona las mejoras de rendimiento y densidad necesarias para ayudar a nuestros clientes a seguir innovando a nivel de sistema, ya que ofrecen conectividad en tiempo real y procesamiento de bordes para todo, desde gráficos de gama alta y automóviles a aplicaciones industriales».
Además de las mejoras a nivel de transistores, la plataforma 12LP incluirá nuevas características centradas en el mercado, diseñadas específicamente para la electrónica automotriz y aplicaciones RF/analógicas, dos de los segmentos de más rápido crecimiento en la industria.
Las aplicaciones automotrices emergentes en la seguridad del vehículo y la conducción automatizada requieren una combinación de potencia de procesamiento y extrema fiabilidad. La plataforma 12LP ofrece ambos, con planes para calificación de Grado 2 Automotriz en Fab 8 para Q4 de 2017.
Una nueva oferta de RF amplía la plataforma 12LP para aplicaciones RF/analógicas tales como transceptores de nivel superior en redes inalámbricas de 6 GHz. 12LP ofrece la mejor escalabilidad tanto en lógica como en memoria para arquitecturas de chips RF con contenido principalmente digital y menos RF/analógico.
La nueva tecnología FinFET de 12nm de GF complementa su oferta de 12nm FD-SOI, que ofrece 12FDXTM. Aunque algunas aplicaciones requieren el rendimiento sin igual de los transistores FinFET, muchos dispositivos conectados necesitan altos niveles de integración y más flexibilidad para el rendimiento y el consumo de energía a costos que FinFET no puede lograr.
12FDX proporciona un camino alternativo para la próxima generación de sistemas inteligentes conectados, permitiendo el rendimiento de FinFET de 10nm con un mejor consumo de energía, menor costo y mejor integración de RF que las ofertas FinFET de fundición de generación actuales.
AMD y Global Foundries preparan otra transición a los 7 nm para el año 2018 y a los 7 nm+ para el año 2019.
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